代表キーワード :: 半導体

資料:8件

  • pn接合ダイオードの仕組みについて
  • p型半導体とn型半導体を単結晶内で接合し、p型からn型に性質が移り変わる遷移部分をpn接合という。pn接合面付近では、お互いのキャリアである電子と正孔が静電気力で引き合い、または反発しあって電位差を生じている。 電圧が加えられていない熱平衡状態のpn接合では接合の部分を...
  • 550 販売中 2005/08/01
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  • ローム(株)と沖電気工業(株)の財務諸表分析
  • 【目次】計22ページ 1.企業の概要と沿革 (1) 企業の概要 (2) 企業の沿革 (3) 『企業の概要と沿革』の分析結果について 2. 成長性の分析 (1) 総資産 (2) 有形固定資産 (3) 投資その他資産 (4) 総負債 (5) 自己資本 (6) 売上高 (7) 売上原価 (8) 販売および一般管理費 (...
  • 550 販売中 2009/06/15
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  • SoC設計技術A
  • 1.SpecC言語/SystemC言語によるシステム仕様からのSoC設計と、HDLによるRTLからの設計を比較してください。両設計手法のカバーできる範囲(HW/SW)、設計者の負荷、設計効率、設計環境に与えるインパクト、設計品質、設計期間、等で比較してください。 表1:システム仕様からの...
  • 550 販売中 2006/11/03
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  • GaAsの極低温領域における負の膨張係数
  • 通常いかなる物質でも温度を上げれば膨張することが考えられるが,これは物質の格子定数が温度上昇と共に増加するためである.しかしSiのような主要半導体では低温領域において膨張せずに,逆に収縮してしまう現象が知られている.今回我々は10〜293 の範囲においてSiの格子定数の負膨...
  • 550 販売中 2005/07/01
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  • ホイールストーンブリッジ
  • 1.実験の目的 wheatstone橋を使用して、金属と半導体の電気抵抗の温度依存を調べる。 2.測定原理 金属の電気抵抗Rは、金属中の自由電子の状態によるもので、様々な要因で電子の移動が妨げられて、Rの値が決まる。金属のXは温度によって変化し、温度のあまり...
  • 550 販売中 2006/05/06
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  • SoC設計技術A
  • 1.SoC開発でIP再利用が必要な理由をムーアの法則にも注目して説明せよ。 ムーアの法則は、米Intel社の設立者ゴードン・ムーア(Gordon E. Moore)が1965年に提唱した、半導体技術の進歩に関する経験則。『半導体チップの集積度は、およそ18カ月で2倍になる』というもの。集積度...
  • 550 販売中 2006/11/03
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  • SoC設計技術A
  • 1.SoCデザインパターンを利用する背景と利用の利点を述べよ。 回路規模は年率58%で成長を続けるのに対し、設計生産性は年率21%の成長に留まっている。このままでは、年々膨大な速度で差が広まっていってしまい、この差をどのようにして埋めていくかということが問題となっ...
  • 550 販売中 2006/11/03
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  • SoC設計技術A
  • 1.動的検証と静的検証のメリットとデメリットをまとめよ。 動的検証とは、テストパターンを与えてシミュレーションにより検証を行う方式である。シミュレーションは、入力したテストパターンに対してのみしか、正しいことを保障できないことから、いかに漏れの少ないテストパタ...
  • 550 販売中 2006/11/03
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