資料紹介

通常いかなる物質でも温度を上げれば膨張することが考えられるが,これは物質の格子定数が温度上昇と共に増加するためである.しかしSiのような主要半導体では低温領域において膨張せずに,逆に収縮してしまう現象が知られている.今回我々は10〜293 の範囲においてSiの格子定数の負膨張について確認した後,GaASでの同様の現象を精度,再現性共に優れたボンド法を用いて測定した.さらに測定結果から熱膨張係数を算出し,それらについて検討した.

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GaAs の極低温領域における負の膨張係数 
Negative Thermal Expansion Coefficients of GaAs
at Very Low Temperatures
春名勝次*, 田中佑典*,井田浩亮*,中嶋洋二*, 
大橋一利**, 前田裕司***
Katsuji Haruna, Tanaka Yusuke, Ida Kosuke, Nakajima Yoji,
Hiroshi Maeta, Kazutoshi Ohashi
*玉川大学工学部電子工学科, 194-8610 東京都町田市玉川学園 6-1-1 
**玉川大学工学メディアネットワーク学科, 194-8610 東京都町田市玉川学園 6-1-1 
***広島国際学院大学工学部, 739-0321 広島県広島市安芸区中野 6-20-1
*Department of Electronic Engineering, Tamagawa University, 6-1-1 Tamagawagakuen Machida-shi
Tokyo 194-8610
**Department of Media-N...

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