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目的
　実験を通して半導体には負の電荷を持つ担体(電子)と、正の電荷を持つ担体(正孔)が存在することをホール効果の実験によって確かめる。さらに、キャリアの密度が同一材料で何桁も異なり得ること、材料によってキャリアの移動度が大きく異なることを確かめる。
実験方法
　測定試料用半導体として試料１(Si)、３(Si)、５(GaAs）、６(InGaAs）を用いた。まず、配線を行った後、以下の操作を備え付けのマニュアルを読んで行った。
試料面が磁場の方向に垂直になるように試料をセットした。
試料電流を100μAとなるように電源の電圧を上げて設定した。
導電率測定にスイッチを切り替えて、その電圧を電圧計で読んだ。
ホール効果測定の方にスイッチを切り替えた。
磁場を加えて、磁場電流を７Aにした。
ホール起電力を電圧計で読み取った。
試料電流を切り替えスイッチで反転して、電流が一定かを確認した後、同様に電圧を読み取った。
実験結果
　I＝100μAで全ての実験を行った。
　　試料１(Si)　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　試料３(Si)
＝175mV ＝171.5mV ＝－168mV ＝770m...

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