資料紹介
1 目的
本実験では，拡散によってSiウエハ表面へ不純物原子を導入することにより，pn接合を形成する．また，作製したウエハの抵抗や伝導型を調べる．
2 実験装置
本実験で使用した装置などを次に示す．
管状電気炉， ガス，Siウエハ(n型)，ボロンプラス，酸類，有機洗剤，比抵抗測定器，ディジタルマルチメータ，ファンクションジェネレータ，はんだごて
3 実験方法
3.1 拡散
3.1.1 試料の洗浄
Siウエハは鏡面研磨されたn型基板(111)面を用いた．まず，ウエハをトリクロロエチレンに浸し，超音波洗浄器を用いて7分間洗浄した．その後，同様にアセトン，エタノールの順に浸して共に5分間洗浄した．
3.1.2 N２ガスの導入
まず，Siウエハとボロンプラスを入れる反応管内に ガスを流量777[cc/min]で約10分間流し，反応管内の空気を窒素に置き換えた．
3.1.3 Bの拡散
次に，ボロンプラスとSiウエハの裏側(鏡面側)が互いに向き合うように，これら2組をそれぞれボートの溝に差し込んで置いた．このボートを炉の出口付近の低温部に2〜3分間程置いてから，徐々に反応管中に挿入して炉の中心位置付近に置いた．このとき，2枚のボロンプラスのうちの1枚が大きすぎ，反応管中心付近まで進まなかったため，そのボロンプラスを取り除いた．この間， ガスは流したままであった．
その後，拡散温度が1000℃に上がってから1時間，Bを拡散させた．なお，拡散温度が1000℃に上がるのと再度下がるのに各40分程かかる．
終了後，ボートをゆっくり低温部に引き出し，電流を絞ってから炉のスイッチを切った．約5分後に反応管から取り出し，完全に冷えるまで待った．
3.2 測定
以降の操作では，上記とは異なる条件の下で作製されたウエハを用いた．実際に上記の手順で拡散した拡散用ウエハと，以降の各測定で用いた測定用ウエハの，pn接合形成における設定条件を表4.1にまとめる．
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目的
本実験では，拡散によってSiウエハ表面へ不純物原子を導入することにより，pn接合を形成する．また，作製したウエハの抵抗や伝導型を調べる．
実験装置
本実験で使用した装置などを次に示す．
管状電気炉， ガス，Siウエハ(n型)，ボロンプラス，酸類，有機洗剤，比抵抗測定器，ディジタルマルチメータ，ファンクションジェネレータ，はんだごて
実験方法
拡散
試料の洗浄
Siウエハは鏡面研磨されたn型基板(111)面を用いた．まず，ウエハをトリクロロエチレンに浸し，超音波洗浄器を用いて7分間洗浄した．その後，同様にアセトン，エタノールの順に浸して共に5分間洗浄した．
N２ガスの導入
まず，Siウエハとボロンプラスを入れる反応管内に ガスを流量777[cc/min]で約10分間流し，反応管内の空気を窒素に置き換えた．
Bの拡散
次に，ボロンプラスとSiウエハの裏側(鏡面側)が互いに向き合うように，これら2組をそれぞれボートの溝に差し込んで置いた．このボートを炉の出口付近の低温部に2～3分間程置いてから，徐々に反応管中に挿入して炉の中心位置付近に置いた．このとき，2枚のボロンプラスのう...
