資料紹介

半導体を用いた放射線の計測を行い、それを通じて検出器の性質を確かめる。またプリアンプや整形
アンプを通した波形を観察する事によって、得られる結果に対して考察を与える。
今回放射線の計測に用いたのは、半導体検出器と呼ばれる検出器である。半導体検出器より得られた
信号は、プリアンプおよび整形アンプを経て PCでそのエネルギーごとにカウントされる。以下に、検
出器および回路の概要を述べる。
2.1
半導体検出器は、電子をキャリアとする N 型半導体および P型半導体が用いられる。これらの半導体
を薄い皮膜を挟み接合したものを PN 接合と呼ぶ。PN 接合の付近では、正孔と電子が結合し、キャリ
アが不足した状態が発生する。このような状態は PN 接合の付近で層状に見られ、空乏層とよばれる。
このような PN 接合した半導体に電圧をかけると、電圧の向きにより電流が流れる場合と流れない場
合がある：
順方向バイアス P型半導体の側にプラスの電圧をかける場合、これを順方向バイアスをかけるという。
この時、N 型半導体へは電子、P 型半導体へは正孔が注入されることになる。
逆方向バイアス P型半導体

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実験の目的

1

半導体を用いた放射線の計測を行い、それを通じて検出器の性質を確かめる。またプリアンプや整形
アンプを通した波形を観察する事によって、得られる結果に対して考察を与える。

実験の原理

2

今回放射線の計測に用いたのは、半導体検出器と呼ばれる検出器である。半導体検出器より得られた
信号は、プリアンプおよび整形アンプを経て PC でそのエネルギーごとにカウントされる。以下に、検
出器および回路の概要を述べる。

半導体検出器

2.1

半導体検出器は、電子をキャリアとする N 型半導体および P 型半導体が用いられる。これらの半導体
を薄い皮膜を挟み接合したものを PN 接合と呼ぶ。PN 接合の付近では、正孔と電子が結合し、キャリ
アが不足した状態が発生する。このような状態は PN 接合の付近で層状に見られ、空乏層とよばれる。
このような PN 接合した半導体に電圧をかけると、電圧の向きにより電流が流れる場合と流れない場
合がある：
順方向バイアス P 型半導体の側にプラスの電圧をかける場合、これを順方向バイアスをかけるという。
この時、N 型半導体へは電子、P 型...

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