バイポーラトランジスタ

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    バイポーラトランジスタ
    バイポーラジャンクショントランジスタ(英: Bipolar junction transistor;
    BJT)はトランジスタの一種である。日本ではバイポーラトランジスタ(英: Bipolar
    transistor)と呼ばれることが多い。N型とP型の半導体がP-N-PまたはN-P-Nの接合構造を持つ3端
    子の半導体素子であり、電流増幅およびスイッチングの機能を持つ。のちに登場した電界効果トラ
    ンジスタ(FET)などのユニポーラトランジスタと異なり、正・負両極のキャリアをもつためバイ
    ポーラと呼ばれる。

    最初に広く使われたトランジスタであるため、単にトランジスタと言うときにはバイポーラトラン
    ジスタを指すことが多い。バイポーラトランジスタという呼び名は、後に FET
    が登場したことによるレトロニムである。

    出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』

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